《微电子封装的界面失效机制与可靠性研究》学术报告
发布人:杨明  信息来源:材料科学与工程学院  发布日期:2019.01.08  阅读次数:7166 
  应材料科学与工程学院、河南省先进镁合金重点实验室、河南省资源与材料产业协同创新中心的邀请,中国科学院金属研究所刘志权研究员将莅临材料科学与工程学院做学术报告,欢迎广大师生积极参加!
  报告题目:微电子封装的界面失效机制与可靠性研究
  报告人:刘志权研究员
  报告时间:2019年01月11日(周五)上午9:00
  报告地点:材料馆207报告厅
  报告人简介:
  刘志权,中国科学院金属研究所研究员,创新课题组长,中国科学技术大学博士生导师,中国科学院“百人计划”海外引进学者,辽宁省“百千万人才工程”百人层次人选。中国电子学会电子制造与封装技术分会理事,辽宁半导体装备产业技术创新战略联盟理事,国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟会员,国家集成电路标准化总体工作组成员。长期从事与性能相关的材料结构及功能的显微组织表征和原位制备研究,研究重点为微电子材料和封装结构的组织性能及服役可靠性。
截至目前在包括Nature,Science,PRL,Acta Mater.等国际杂志上发表期刊论文130余篇,SCI收录110余篇(JCR1区50余篇),被SCI他人引用3000余次。承担及参加包括中国科学院百人计划项目、国家科技重大专项02集成电路封测项目、国家重大基础研究计划973项目、国家重点研发计划重点专项等10余项。与国际同行合作开发的三维透射电镜表征技术(3D-OMiTEM)入选2011年度美国材料学会焦点新闻,并荣获2012年度美国显微学会创新奖。
  报告简介:
  微电子封装中的焊点在集成电路中既起到电路连接作用,又起到机械连接作用。但由于界面化合物的生长以及元素扩散等影响,互连界面通常成为电子元件服役使用过程中的薄弱环节。本报告主要针对金属互连界面,首先系统研究了低温共晶SnBi和SnIn焊料与Cu的界面反应,发现了Cu-Sn及Cu-In化合物(IMC)在不同取向Cu基体上的不同生长形貌,以及在不同温度下的IMC可逆生长转变,分析了其中的界面反应和元素扩散机制;同时通过实验设计和精细表征,详细阐述了两种焊料界面柯肯达尔孔洞的来源和形成机制,揭示出前者来源于Bi的界面偏析,而后者来源于粗晶与细晶IMC界面上的原子扩散差异。其次以开发的铁基薄膜为UBM材料,通过推球、热循环、电迁移的可靠性实验,系统评价了其与SAC互连的焊点可靠性,表现出比商用铜UBM焊点优良的界面阻挡作用和良好的热存储及电迁移可靠性,并从界面反应机制、化合物转变、元素扩散、缺陷形成、失效模式等几个方面澄清了相关机理。



                                            材料科学与工程学院
                                          河南省先进镁合金重点实验室
                                        河南资源与材料产业协同创新中心
                                              2019年1月8日
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